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HOA0871

Übersicht

Die HOA086X/087X-Serie besteht aus einer Infrarot emittierenden Diode, die in einem schwarzen Thermoplastgehäuse einem NPN-Siliziumphototransistor gegenüberliegt. Die Phototransistorschaltung tritt dann auf, wenn ein lichtundurchlässiges Objekt zwischen Emitter und Detektor den Steckplatz durchquert. Diese Serie ermöglicht dem Benutzer die Auswahl aus verfügbaren Optionen: (1) Befestigungslaschenkonfigurationen, (2) Rastermaß, (3) elektro-optische Eigenschaften, (4) Größe der Strahlaustrittsfläche des Detektors und (5) Gehäusematerialien.

Die HOA86X-Serie verwendet ein IR lichtdurchlässiges Polysulfongehäuse mit optischen Flächen ohne externe Öffnungen für die Strahlaustrittsfläche; dieses Merkmal ist von Vorteil, wenn eine Verstopfung der Strahlaustrittsfläche durch Verunreinigungen in der Luft möglich ist. Die HOA087X-Serie verwendet ein lichtundurchlässiges Polysulfongehäuse mit Öffnungen für die Strahlaustrittsfläche zur Verwendung in Anwendungen, in denen das Umgebungslicht möglichst abgehalten werden muss sowie in Situationen, in denen eine maximale Positionsauflösung erwünscht ist. Die HOA086X/087X-Serie besteht aus Kunststoffvergusskomponenten. Weitere Informationen zu den Komponenten siehe SEP8506 und SDP8406.

Das Gehäuse besteht aus Polykarbonat. Die Gehäuse sind in chlorierten Kohlenwasserstoffen und Ketonen löslich. Empfohlene Reinigungsmittel sind Methanol und Isopropanol.

Lichtundurchlässige Infrarotsensoren der HOA0871-Serie - Honeywell

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Produkt Ausgabe Sensoröffnung Schlitzbreite Kollektorstrom Zustand Ein
HOA0871-N55 Transistor 1,52 mm x 1,27 mm [0,060 Zoll x 0,050 Zoll] 3,18 mm [0,125 Zoll] 1,00 mA
HOA0871-P55 Transistor 1,52 mm x 1,27 mm [0,060 Zoll x 0,050 Zoll] 3,18 mm [0,125 Zoll] 1,00 mA
HOA0871-T55 Transistor 1,52 mm x 1,27 mm [0,060 Zoll x 0,050 Zoll] 3,18 mm [0,125 Zoll] 1,00 mA

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