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Die HOA1879 -Serie besteht aus einer Infrarot emittierenden Diode gegenüber von einem NPN-Siliziumphototransistor in einem schwarzen IR-durchlässigen Thermoplastgehäuse. Die Detektorschaltung tritt dann auf, wenn ein lichtundurchlässiges Objekt den Spalt zwischen Emitter und Detektor durchquert. Die HOA1879 Serie verwendet ein IR lichtdurchlässiges Polysulfongehäuse mit optischen Flächen ohne externe Öffnungen für die Strahlaustrittsfläche; dieses Merkmal ist von Vorteil, wenn eine Verstopfung der Strahlaustrittsfläche durch Verunreinigungen in der Luft möglich ist. HOA1879-011 und -012 verfügen über eine Strahlaustrittsfläche von 0,060 Zoll (1,52 mm) Durchmesser, während der HOA1879-015 eine vertikale Strahlaustrittsfläche von 0,010 Zoll (0,25 mm) x 0,040 Zoll (1,02 mm). Dieses Merkmal eignet sich ideal für den Einsatz in Anwendungen, bei denen eine maximale Positionsauflösung erwünscht ist. Die HOA1879-Serie besteht aus Kunststoffvergusskomponenten. Weitere Informationen zu den Komponenten siehe SEP8506 und SDP8406.

Das Gehäuse besteht aus IR-durchlässigem Polysulfon. Die Gehäuse sind in chlorierten Kohlenwasserstoffen und Ketonen löslich. Empfohlene Reinigungsmittel sind Methanol und Isopropanol.

Dokumente

TITEL DOKUMENTENART SPRACHE GRÖSSE
Kataloginformationen zu der HOA1879-Serie der lichtundurchlässigen Infrarot-Sensoren Kataloginformationen Englisch 361KB
Produktleitfaden Infrarot-Sensoren Produktlinienübersicht Englisch 1MB

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Produkt Ausgabe Sensoröffnung Schlitzbreite Kollektorstrom Zustand Ein
HOA1879-012 Transistor 1,52 mm [0,060 Zoll] Durchm. 3,18 mm [0,125 Zoll] 1,80 mA
HOA1879-015 Transistor 1,02 mm x 0,25 mm [0,040 Zoll x 0,010 Zoll] 3,18 mm [0,125 Zoll] 0,50 mA

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