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Die HOA088X/089X-Serie besteht aus einer Infrarot emittierenden Diode, die in einem schwarzen Thermoplastgehäuse einem NPN-Siliziumphototransistor gegenüberliegt. Die Phototransistorschaltung tritt dann auf, wenn ein lichtundurchlässiges Objekt zwischen Emitter und Detektor den Steckplatz durchquert. Diese Serie ermöglicht dem Benutzer die Auswahl aus verfügbaren Optionen: (1) Befestigungslaschenkonfigurationen, (2) Größe der Strahlaustrittsfläche des Detektors, (3) elektro-optische Eigenschaften und (4) Gehäusematerialien.

Alle Geräte verfügen über eine integrierte Zugentlastung für eine maximale Drahtbefestigungsstärke. Die HOA088X-Serie verwendet ein IR lichtdurchlässiges Polysulfongehäuse mit optischen Flächen ohne externe Öffnungen für die Strahlaustrittsfläche; dieses Merkmal ist von Vorteil, wenn eine Verstopfung der Strahlaustrittsfläche durch Verunreinigungen in der Luft möglich ist. Die HOA089X-Serie verwendet ein lichtundurchlässiges Polysulfongehäuse mit Öffnungen für die Strahlaustrittsfläche zur Verwendung in Anwendungen, in denen das Umgebungslicht möglichst abgehalten werden muss sowie in Situationen, in denen eine maximale Positionsauflösung erwünscht ist. Die HOA088X/089X-Serie besteht aus Kunststoffvergusskomponenten. Weitere Informationen zu den Komponenten siehe SEP8506 und SDP8406.

Das Gehäusematerial ist Polysulfon. Die Gehäuse sind in chlorierten Kohlenwasserstoffen und Ketonen löslich. Empfohlene Reinigungsmittel sind Methanol und Isopropanol.

Der Leiterabstand Detektor-Emitter beträgt für alle Ausführungen 0,32 Zoll (8,13 mm). Die Farbkodierung und die Funktionen des Drahtes sind:
rot: IRED-Anode
Weiß: Detektor Kollektor
schwarz: IRED-Kathode
Grün: Detektor Emitter


Dokumente

TITEL DOKUMENTENART SPRACHE GRÖSSE
Kataloginformationen zu den HOA088X/089X-Serien der lichtundurchlässigen Infrarot-Sensoren Kataloginformationen Englisch 433KB
Produktleitfaden Infrarot-Sensoren Produktlinienübersicht Englisch 1MB

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