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Die HOA0825-Serie besteht aus einer Infrarot emittierenden Diode gegenüber von einem NPN-Siliziumphototransistor in einem schwarzen Thermoplastgehäuse. Ein Steckplatz im Gehäuse zwischen Emitter und Detektor bietet die Möglichkeit einer mechanischen Unterbrechung des Emitterstrahls. Die Phototransistorschaltung tritt dann auf, wenn ein lichtundurchlässiges Objekt zwischen Emitter und Detektor den Steckplatz durchquert. Die HOA0825-Serie besteht aus Kunststoffvergusskomponenten. Weitere Informationen zu den Komponenten siehe SEP8506 und SDP8406.

Das Gehäuse besteht aus Polykarbonat. Die Gehäuse sind in chlorierten Kohlenwasserstoffen und Ketonen löslich. Empfohlene Reinigungsmittel sind Methanol und Isopropanol.

Dokumente

TITEL DOKUMENTENART SPRACHE GRÖSSE
Kataloginformationen zu der HOA0825-Serie der lichtundurchlässigen Infrarot-Sensoren Kataloginformationen Englisch 311KB
Produktleitfaden Infrarot-Sensoren Produktlinienübersicht Englisch 1MB

HOA0825 Produkte durchsuchen

Produkt Ausgabe Sensoröffnung Schlitzbreite Kollektorstrom Zustand Ein
HOA0825-001 Transistor 1,52 mm [0,060 Zoll] Durchm. 4,19 mm [0,165 Zoll] 0,50 mA
HOA0825-002 Transistor 1,52 mm [0,060 Zoll] Durchm. 4,19 mm [0,165 Zoll] 0,50 mA
HOA0825-004 Transistor 1,52 mm [0,060 Zoll] Durchm. 4,19 mm [0,165 Zoll] 0,50 mA

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