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Der SDP8406 ist ein NPN-Phototransistor aus Silizium, der in ein seitlich ausgerichtetes transparentes Kunststoffgehäuse eingegossen ist. Der Chip wird so positioniert, dass er eine Strahlung durch eine Kunststofflinse von der Seite des Gehäuses aufnehmen kann.

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TITEL DOKUMENTENART SPRACHE GRÖSSE
Produktleitfaden Infrarot-Sensoren Produktlinienübersicht Englisch 1MB

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Produkt Gehäusematerial Winkliges Ansprechen (Grad) Verlustleistung
SDP8406-002 Kunststoff 50 100  mW
SDP8406-003 Kunststoff 50 100  mW
SDP8406-004 Kunststoff 50 100  mW

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