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Die SDP8475-Serie besteht aus einem NPN-Siliziumtransistor mit internem Basis-Emitter-Nebenschlusswiderstand. Das bei diesem Gerät angewandte Spritzguss-Verfahren zur Herstellung eines transparenten Kunststoffgehäuses T-1 gewährleistet im Vergleich zu anderen Vergussverfahren eine überragende Leistung der optischen Mittellinie. Die Längen der Anschlussdrähte sind stufenartig, um eine einfache Erkennung der Polarität zu ermöglichen.
SDP8475-201 Fototransistoren mit geringer Lichtunterdrückung - Honeywell

Dokumente

TITEL DOKUMENTENART SPRACHE GRÖSSE
Kataloginformationen zu Fototransistoren mit geringer Lichtunterdrückung der SDP8475201-Serie Kataloginformationen Englisch 405KB
Produktleitfaden Infrarot-Sensoren Produktlinienübersicht Englisch 1MB

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SDP8475-201 Kunststoff 20 70  mW

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