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Die SDP8475-Serie besteht aus einem NPN-Siliziumtransistor mit internem Basis-Emitter-Nebenschlusswiderstand. Das bei diesem Gerät angewandte Spritzguss-Verfahren zur Herstellung eines transparenten Kunststoffgehäuses T-1 gewährleistet im Vergleich zu anderen Vergussverfahren eine überragende Leistung der optischen Mittellinie. Die Längen der Anschlussdrähte sind stufenartig, um eine einfache Erkennung der Polarität zu ermöglichen.

Dokumente

TITEL DOKUMENTENART SPRACHE GRÖSSE
Kataloginformationen zu Fototransistoren mit geringer Lichtunterdrückung der SDP8475201-Serie Kataloginformationen Englisch 405KB
Produktleitfaden Infrarot-Sensoren Produktlinienübersicht Englisch 1MB

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Produkt Gehäusematerial Winkliges Ansprechen (Grad) Verlustleistung
SDP8475-201 Kunststoff 20 70  mW

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